Infineon IRLB4132PBF N Kanal MOSFET HEXFET Technologie TO220AB Gehäuse 100A 30V
Réf. produit : IRLB4132PBF
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Description
Informations sur le produit "Infineon IRLB4132PBF N Kanal MOSFET HEXFET Technologie TO220AB Gehäuse 100A 30V"
Der IRLB4132PBF ist ein N-Kanal MOSFET Transistor von Infineon Technologies. Er basiert auf der HEXFET Technologie und ist für den Einsatz in leistungsstarken Schaltungen konzipiert. Der Transistor bietet eine Drain-Source-Spannung von 30V, einen kontinuierlichen Drainstrom von 100A sowie einen Impuls-Drainstrom von bis zu 620A. Das TO-220AB-Gehäuse ermöglicht eine zuverlässige thermische Anbindung und einfache Montage in THT-Anwendungen. Der Transistor verfügt über einen niedrigen Widerstand im leitenden Zustand von 3,5 mΩ, wodurch Energieverluste in Schaltungen reduziert werden.
Dieser Transistor eignet sich für Anwendungen im Bereich der Leistungselektronik, beispielsweise in Motorsteuerungen, Spannungswandlern oder anderen Hochstromanwendungen. Dank der robusten Auslegung können auch anspruchsvolle Anforderungen in industriellen und elektronischen Projekten erfüllt werden.
Der IRLB4132PBF ist ein N-Kanal MOSFET mit unipolarer Polarisation. Die HEXFET Technologie steht für eine optimierte Effizienz und einen niedrigen Leistungsverlust im Betrieb. Der Transistor kann in einfacher Sprache als ein elektronischer Schalter beschrieben werden, der bei Ansteuerung große Ströme bei niedrigen Spannungen sicher schalten kann.
Merkmale im Überblick
- N-Kanal MOSFET Transistor für Hochstromanwendungen
- HEXFET Technologie für effizientes Schalten
- Drain-Source-Spannung: 30V
- Drainstrom: 100A kontinuierlich, 620A im Impuls
- TO-220AB-Gehäuse für THT-Montage
- Niedriger Widerstand im leitenden Zustand: 3,5 mΩ
- Leistungselektronische Schaltungen
- Motorsteuerungen
- Spannungswandler
- Allgemeine Hochstromanwendungen
- Transistor-Typ: N-MOSFET
- Technologie: HEXFET
- Polarisierung: unipolar
- Drain-Source Spannung: 30V
- Drainstrom: 100A
- Drainstrom im Impuls: 620A
- Verlustleistung: 140W
- Gehäuse: TO-220AB
- Gate-Source Spannung: ±20V
- Widerstand im Leitungszustand: 3,5mΩ
- Montage: THT
- Kanal-Art: Anreicherungstyp
- Dieser Transistor ist für Leistungsschaltungen konzipiert und vielseitig in elektronischen Projekten einsetzbar.
- 1 x IRLB4132PBF N-Kanal MOSFET Transistor im TO-220AB Gehäuse
Propriétés
| Gewicht Brutto (in kg): | 0.002 |
|---|---|
| Zolltarifnummer: | 85444995 |
| Artikelnummer: | IRLB4132PBF |
| Herkunftsland: | Chine |
| Hersteller: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Hersteller Produktnummer: | IRLB4132PBF |
| Montage: | THT |
| VPE: | 1 / 50 |
Hersteller- und Sicherheitsinformationen
Infineon Technologies AG
Am Campeon 1-15
DE 85579 Neubiberg
https://www.infineon.com
support@infineon.com
WEEE-Nummer: 17968585
Verantwortliche Person für die EU
Siehe Hersteller-Informationen
Sicherheitshinweise
- Berührung von Anschlüssen vermeiden, um elektrostatische Entladung (ESD) zu verhindern.
- Nur in dafür vorgesehenen ESD-sicheren Arbeitsbereichen einsetzen.
- Nicht außerhalb der spezifizierten elektrischen Grenzwerte betreiben.
- Vor Überhitzung durch ausreichende Kühlung oder Kühlkörper schützen.
- Keine mechanische Belastung der Anschlüsse oder Gehäuse ausüben.
- Bei der Entsorgung geltende Richtlinien für Elektronikmüll beachten.
- Transistoren niemals in den Hausmüll werfen, ordnungsgemäße Recyclingstellen verwenden.
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