INFINEON MOSFET, 40V Drain-Source, 162A Drainstrom, 200W Verlustleistung, 4 Ohm Widerstand, THT
Produktnummer: IRF1404PBF
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Beschreibung
Produktinformationen " INFINEON MOSFET, 40V Drain-Source, 162A Drainstrom, 200W Verlustleistung, 4 Ohm Widerstand, THT"
Mit einer Drain-Source Spannung von 40V und einem Drainstrom von 162A bietet der INFINEON IRF1404PBFIN enorme Leistung für Motorsteuerungen oder Energieversorgungen. Dank unipolarer Polarisierung und nur 4mΩ Widerstand im Leitungszustand profitierst du von maximaler Effizienz und minimierten Verlusten. Ideal für Maker, die innovative und leistungsfähige Elektronikprojekte realisieren möchten.
Merkmale im Überblick
- Unipolare Polarisierung: Sorgt für eine hohe Effizienz in verschiedenen Schaltungskonfigurationen.
- Widerstand im Leitungszustand von nur 4mΩ: Minimiert Verluste und verbessert die Gesamteffizienz.
- Gate-Ladung von 160nC: Optimiert das Schaltverhalten für schnelle Schaltvorgänge.
- Drain-Source Spannung: 40V
- Drainstrom: 162A
- Verlustleistung: 200W
- Gehäuse: TO220AB
- Gate-Source Spannung: ±20V
- Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ
- Gate-Ladung: 160nC
- Montage: THT
- Polarisierung: unipolar
- 1x Transistor: N-MOSFET, unipolar, 40V, 162A, 200W, TO220AB
Eigenschaften
| Gewicht Brutto (in kg): | 0.002 |
|---|---|
| Zolltarifnummer: | 85444995 |
| Artikelnummer: | IRF1404PBF |
| Herkunftsland: | China |
| Hersteller: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Hersteller Produktnummer: | IRF1404PBF |
| Montage: | THT |
| VPE: | 1 / 50 |
Hersteller- und Sicherheitsinformationen
Infineon Technologies AG
Am Campeon 1-15
DE 85579 Neubiberg
https://www.infineon.com
support@infineon.com
WEEE-Nummer: 17968585
Verantwortliche Person für die EU
Siehe Hersteller-Informationen
Sicherheitshinweise
- Berührung von Anschlüssen vermeiden, um elektrostatische Entladung (ESD) zu verhindern.
- Nur in dafür vorgesehenen ESD-sicheren Arbeitsbereichen einsetzen.
- Nicht außerhalb der spezifizierten elektrischen Grenzwerte betreiben.
- Vor Überhitzung durch ausreichende Kühlung oder Kühlkörper schützen.
- Keine mechanische Belastung der Anschlüsse oder Gehäuse ausüben.
- Bei der Entsorgung geltende Richtlinien für Elektronikmüll beachten.
- Transistoren niemals in den Hausmüll werfen, ordnungsgemäße Recyclingstellen verwenden.
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