STP16NF06 - N-Kanal MOSFET Transistor, 60V, 16A, TO-220, 3-pin
Réf. produit : STP16NF06
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Description
Informations sur le produit "STP16NF06 - N-Kanal MOSFET Transistor, 60V, 16A, TO-220, 3-pin"
Der STP16NF06 ist ein N-Kanal MOSFET Transistor im TO-220 Gehäuse, konzipiert für hohe Leistung mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 60V und einem Dauer-Drainstrom von 16A. Er zeichnet sich durch geringen Widerstand und hohe Effizienz aus, ideal für vielfältige Elektronikanwendungen.
Merkmale im Überblick
- Hohe Drain-Source-Spannung von 60V: Ermöglicht den Einsatz in leistungsstarken Schaltkreisen.
- Maximaler Dauer-Drainstrom von 16A: Bietet hohe Durchlassfähigkeit für Ströme.
- Gehäusegröße TO-220: Bekannt für gute Wärmeabführung und einfache Montage.
- Abmessungen: 10.4 x 4.6 x 9.15mm
- Anzahl der Elemente pro Chip: 1
- Betriebstemperatur max.: +175 °C
- Betriebstemperatur min.: -55 °C
- Breite: 4.6mm
- Channel Mode: Enhancement
- Channel-Typ: N
- Dauer-Drainstrom max.: 16 A
- Drain-Source-Spannung max.: 60 V
- Drain-Source-Widerstand max.: 0,1 Ω
- Eingangskapazität typ. @ Vds: 315 pF V @ 25
- Gate-Ladung typ. @ Vgs: 10 Öffner V @ 10
- Gate-Source Spannung max.: ±20 V
- Gehäusegröße: TO-220
- Höhe: 9.15mm
- Kategorie: Leistungs-MOSFET
- Konfiguration: Single
- Länge: 10.4mm
- Montage-Typ: Durchsteckmontage
- Pinanzahl: 3
- Typical Turn-Off Delay Time: 17 ns
- Typical Turn-On Delay Time: 7 ns
- Verlustleistung max.: 45 W
- 1 x STP16NF06 MOSFET Transistor
Propriétés
| Gewicht Brutto (in kg): | 0.001 |
|---|---|
| Zolltarifnummer: | 85444995 |
| Artikelnummer: | STP16NF06 |
| Herkunftsland: | Chine |
| Hersteller: | ST Microelectronics |
Hersteller- und Sicherheitsinformationen
STMicroelectronics N.V.
Chemin du Champ des FillesPlan-Les-Ouates 39
CH 1228 Genf
https://www.st.com
investor.relations@st.com
WEEE-Nummer: 17968585
Verantwortliche Person für die EU
TME Germany GmbH
Dohnanyistraße 28-30
DE 04103 Leipzig
https://www.tme.eu/de/
tme@tme-germany.de
Sicherheitshinweise
- Berührung von Anschlüssen vermeiden, um elektrostatische Entladung (ESD) zu verhindern.
- Nur in dafür vorgesehenen ESD-sicheren Arbeitsbereichen einsetzen.
- Nicht außerhalb der spezifizierten elektrischen Grenzwerte betreiben.
- Vor Überhitzung durch ausreichende Kühlung oder Kühlkörper schützen.
- Keine mechanische Belastung der Anschlüsse oder Gehäuse ausüben.
- Bei der Entsorgung geltende Richtlinien für Elektronikmüll beachten.
- Transistoren niemals in den Hausmüll werfen, ordnungsgemäße Recyclingstellen verwenden.
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